2024年4月16日

東レエンジニアリング株式会社

半導体用の超極薄チップ実装技術を開発
~半導体の低消費電力化と、高性能半導体の製造効率向上を両立~

 東レエンジニアリング株式会社(本社:東京都中央区、代表取締役社長:岩出卓、以下「東レエンジ」)は、このたび、厚みが3μm以下の「超極薄半導体チップ」の実装技術を開発しました。
 半導体チップの一層の薄化により、電気抵抗が減ることによる低消費電力化と、半導体チップの小型化ニーズに対応することで、パワーデバイスやシリコンフォトニクス、メモリー向けなど、高性能半導体の使用シーンの拡大に貢献すべく、2025年度中に本技術を搭載した実装装置の製品化を目指してまいります。

 半導体実装工程において、チップをダインシングフィルム等のキャリアから剥離する工程は、ニードルによる剥離が主流です。一般に「薄型」に分類される100μm以下のチップでは、チップ専用の治具を用いた方式が用いられていますが、通常の10倍以上の時間がかかります。また、研究用途で使われる粘着力の差を利用して剥離する「スタンプ方式」では更に時間が必要であり、生産性の問題がありました。
 この課題に対して、当社が新たに開発した、「レーザー・ピール・トランスファー(LPT)技術」は、当社独自の高速、高精度スキャニングシルテムにより、厚みが3ミクロン以下となる「超極薄半導体チップ」を従来のフリップチップボンダー以上の高速性を実現しながらキャリアからのピックアップ、基板への転写が出来ることを確認しました。

 東レエンジは、世界を変えるソリューションビジネスのブランド「TRENG」(トレンジ)のもと、独自のテクノロジー、エンジニアリング、ノウハウを駆使して、プラントエンジニアリングからファクトリーオートメーション、半導体製造・検査装置まで幅広く事業展開しています。
 今回、開発した技術により、半導体の更なる発展や活用シーンの拡大に貢献することで、東レグループの企業理念である「わたしたちは新しい価値の創造を通じて社会に貢献します」の具現化に取り組んでまいります。

 この開発は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業(JPNP20017)の助成事業で実施しています。

以上

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