ウエーハ外観検査装置 INSPECTRA 1000EX-II

概要

構成

顕微鏡光学系、高解像度CCDカメラ、 XYZ-θステージ、ウエーハ搬送ロボット、プリアライナ、専用高速画像処理装置、パソコンなどから構成されています。いずれも信頼性が高く、かつ、ランニングコストは最小であり、生産ラインで安心して、ご使用いただけます。

特徴

仕様

対象サンプル シリコン半導体、化合物半導体、MEMSデバイス(センサー、プリンタヘッド)
ウエーハサイズ 4 〜 8 インチ; 300mm
ウエーハ厚み Max. 4 mm
カセット台数 2 units
検査アルゴリズム 良品学習アルゴリズム(DSI Algorithm)ほか
検査時間 0.035sec/FOV(=Field of View)
15 sec for 6 inch wafer
19 sec for 8 inch wafer
27 sec for 300 mm wafer(搬送時間含む)
対物レンズ 1x, 2x, 5x, 10x (20x, 50X オプション)
標準機能 画像強調(LUT)機能
オートフォーカス
マルチFOV/マルチチップ検査
欠陥サイズによるフィルタリング
バッドマーク検出、およびスキッピング
パッドとバンプ検査機能
感度シミュレーション機能
ユーティリティ 200VAC, 15A, 50/60Hz; Air; Vacuum
寸法 2185mm(W) x 1150mm(D) x 1931mm(H);PCラック含む
オプション インカー、イオナイザー、高倍率レビューレンズ、ビデオプリンタ、ウエーハクリーナ、2/3インチ化合物半導体対応、フラットリング搬送、オフラインレビューステーション、斜光照明、レビュー用高速オートフォーカス、自動欠陥分類機能、ノンパターン検査機能、バッドマーク検査機能、オフライン感度シミュレーション機能、オフライン自動欠陥分類機能
2Dバンプ検査機能

本仕様は改良のため、予告なく変更することがあります。

検査
ガラス応力測定装置 KMS-5000
ウエーハ外観検査装置 INSPECTRA 1000EX-II
ウエーハ外観検査装置 INSPECTRA 7000R300
ウエーハエッジ検査装置 WE-1000
バンプ検査装置 SP-500WA
表面形状測定装置 SP-700/500
チップ外観検査装置 GEN3000T
ID Marker for Quality Control of Chips ウェーハタイトラ
お電話による問い合わせ先
エレクトロニクス事業本部
DP営業部 MED課
瀬田 (077)544-1635
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