蛍光検査装置 INSPECTRA® PLシリーズLuminescence Defect Inspection System "INSPECTRA® PL" Series

PL(フォトルミネッセンス)を用いて可視光外観検査では見えなかった結晶欠陥・クラック・発光不良を自動検査

蛍光検査装置 INSPECTRA® PLシリーズ

<概要>

PL(フォトルミネッセンス)による蛍光画像を用いて従来の可視光外観検査では見えなかった結晶欠陥・クラック・発光不良を高速・高感度に自動検査します!

<特長>

  • 独自の光学系と検査アルゴリズムにより高速・高感度で結晶欠陥の検出・分類を行います。
  • ウエーハ外観検査装置にオプションにて搭載することにより、EPI工程での結晶欠陥検査だけでなく、パターン工程の外観検査まで試作・量産における一貫した検査に適用可能です。
  • 可視光検査とPL検査を組み合わせることで、キラー欠陥が特定でき、歩留まり改善に貢献します。

<仕様(PL)>

  • GaN
  • SiC
  • 運用例

<GaN用途(LED,LD)>

対象サンプル
Inspection Sample
LEDウェーハ、チップ
LED Wafer,Chip
画素分解能
Pixel resolution
0.65um~
0.65um~
検査速度
Inspection Time
4分(4 inchウェーハ 5x PL検査時)
4 minutes (4 inch wafer,5x,fastest)
対応ウェーハサイズ
Suport Wafer Size
8~2inch
8~2inch
検査項目
Target
発光輝度不良、発光波長ズレ、結晶欠陥、クラック、パターン外観不良等
オプション
Option
波長推定機能

<SiC用途(パワーデバイス)>

対象サンプル
Inspection Sample
SiCウェーハ、チップ
SiC Wafer,Chip
画素分解能
Pixel resolution
0.65um~
0.65um~
検査速度
Inspection Time
15分(4 inchウェーハ 5x PL検査時)
15 minutes (4 inch wafer,5x,fastest)
対応ウェーハサイズ
Suport Wafer Size
8~2inch
8~2inch
ターゲット欠陥
Target
基底面転位(BPD)、積層欠陥(SF)等の結晶欠陥、パターン外観不良等

<GaN用途(パワーデバイス)>

対象サンプル
Inspection Sample
GaN/サファイア、GaN/SiC、GaN/Si、GaN/GaNウェーハ、チップ
画素分解能
Pixel resolution
0.65um~
0.65um~
検査速度
Inspection Time
15分(4 inchウェーハ 5x PL検査時)
15 minutes (4 inch wafer,5x,fastest)
対応ウェーハサイズ
Suport Wafer Size
8~2inch
8~2inch
検査項目
Target
結晶欠陥、クラック、パターン外観不良等

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